溅射压强对ITO/Cu2O复合膜结构和光学性能的影响
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作者:
作者单位:

(1.云南师范大学 太阳能研究所,可再生能源材料先进技术及制备教育部重点实验室,云南 昆明 650092;2.楚雄师范学院物理与电子科学学院,云南 楚雄 675000)

作者简介:

自兴发(1971-),男,汉族,云南楚雄人,博士 研究生,主要从事Cu2O薄膜太阳电池研究.

通讯作者:

中图分类号:

基金项目:

国家自然科学基金联合资助(U1037604)资助项目 (1.云南师范大学 太阳能研究所,可再生能源材料先进技术及制备教育部重点实验室,云南 昆明 650092;2.楚雄师范学院物理与电子科学学院,云南 楚雄 675000)


Effects of sputtering pressure on structural and optical properties of ITO/Cu2O composite films
Author:
Affiliation:

(1.Key Laboratory of Renewable Energy Materials Advanced Technology and Manufac turing of Ministry of Education of China,Solar Energy Research Institute,Yunnan Normal University,Kun ming 650092,China; 2. School of Physical and Electronic Science,Chuxiong Normal University,Chuxiong 675000,China)

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    摘要:

    利用脉冲磁控溅射制备技术,以氧化铟锡(ITO)导电玻璃为基底,采用单质金属Cu 靶作为溅射靶,在O2和Ar的混合气氛下沉积了Cu2O薄膜。通过调控溅射压强,研 究了脉冲磁控溅射沉积法在不同溅 射压强下对Cu2O薄膜的物相结构、表面形貌及光学性能的影响。结果表明,在O2、Ar流 量比(O2/Ar)为20∶90的气 氛条件下,在2~3Pa的溅射压强范围内,可获得纯相的Cu2O薄膜;薄膜表面形貌依赖于 溅射压强,薄膜表面粗糙度的 均方根(RMS)值随溅射压强的增大而减小;在ITO上沉积Cu2O 薄膜后,薄膜的光学吸收边红移至780 nm, ITO/Cu2O复合膜的光谱吸收范围拓展至300~780 nm,复合膜的吸收强度随溅射压强的增 大而减小,光学带隙Eg 随溅射压强的增大而增大,Eg值为2.28~2.39eV。

    Abstract:

    Cuprous oxide (Cu2O) thin films were prepared on ITO conductive glass substrates by pulse magnetron sputtering,using a metallic copper target in Ar and O2mixture atmosphere.Effe cts of sputtering pressures on crystalline structure,surface morphology and optical properties of Cu2O thin f ilms are investigated.The results show that the thin films deposited with an O2/Ar flow ratio of 20∶90are p ure phase Cu2O for 2-3Pa sputtering pressures.The surface morphology of Cu2O thin films depends on the sputtering pressures,and the root mean square (RMS) values of surface roughness of the thin films decr ease with increasing sputtering pressures.After a Cu2O layer was deposited on ITO substrate,th e absorption edge red shifts to ~780nm,the absorption intensity of ITO/Cu2O composite films increases with increasing sputtering pressures in the wavelength range of 300-780nm,and the optical band gap (Eg) values of thin films deposited a t different sputtering pressures range from 2.28eV to 2.39eV.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

自兴发,杨雯,杨培志,邓双,彭柳军.溅射压强对ITO/Cu2O复合膜结构和光学性能的影响[J].光电子激光,2014,(12):2310~2315

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  • 收稿日期:2014-08-11
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  • 在线发布日期: 2015-01-08
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