具有侧面柱状结构的高压LED芯片制备
DOI:
CSTR:
作者:
作者单位:

作者简介:

王洪(1964-),男,博士,教授,博士生导师 ,主要从事微纳光电子材料与器件、光通信网络等领域的研究.

通讯作者:

中图分类号:

基金项目:

中央高校基本科研业务费专项基金(2011ZZ0017)、广东省战略性新兴产业发展专项资金(2010A081002009,1A081301004,2A080302003)和广州市重大科技专项(2010U1-D00221,1Y 5-00006)资助项目 , 吴跃峰, 钟炯生, 黄华茂 (华南理工大学 理学院广东省光电工程技术研究中心,广东 广州 510640)


Fabrication of high-voltage LED chips with lateral columnar structure
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    设计制作了一种具有侧面柱状结构的高压发光二极 管(HV-LED)芯片,与未作侧面柱状结构的HV-LED芯片相比, 在正向电流20mA下,其光功率提高了7.6%,而正向电压和波长基 本维持不变。对这两种HV-LED 芯片的电流和电压以及电流和光功率的关系进行研究。封装白光后的测试结果表明,在色温 4500K、 驱动 电流20mA下, 具有侧面柱状结构的HV-LED芯片光效达 125. 6lm/W。在标准测试温度为20℃、正向电流为20mA驱动下,具有侧面柱状结构的HV-LED芯片封装老化测试1000h后,光衰仅为2%。

    Abstract:

    A high-voltage LED chip with lateral columnar structure is fabricated in this paper.Compared with the high-voltage LED without lateral columnar structure,its optical power is incre ased by 7.6% under the forward current of 20mA,while its forward voltage and wavelength are unchanged.The relationship s between the current and the voltage as well as the current and the optical power of these two kinds of high -voltage LEDs are also studied. Pachaged white LED testing results show that the luminous efficiency of high-LE D chip with lateral columnar structure is up to 125.6lm/W under the color temperature of 4500K and 20mA driving current.After the 1000h aging test in the conditions of the standard test temperature of 20℃ and the f orward current of 20mA ,the optical power of the high-voltage LED chip with lateral columnar structure just only de clines by 2%.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

王洪,吴跃峰,钟炯生,黄华茂.具有侧面柱状结构的高压LED芯片制备[J].光电子激光,2013,(10):1906~1916

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:2013-03-19
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期:
  • 出版日期:
文章二维码