反应磁控溅射直接生长绒面结构ZnO:Al-TCO薄膜及其特性研究
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TN304.21

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国家“973”重点基础研究(2011CBA00705,2011CBA00706,2011CBA00707);国家高技术研究发展计划(2009AA050602);科技部国际合作(2009DFA62580);天津市应用基础及前沿技术研究计划(09JCYBJC06900);中央高校基本科研业务费专项(65010341)资助项目


Preparation and characteristics of natively textured surface ZnO:Al-TCO thin films grown via magnetron sputtering
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    摘要:

    利用反应磁控溅射技术,在玻璃衬底上直接生长获得了"弹坑状"绒面结构的ZnO:Al-TCO薄膜。通过梯度O2生长(GOG,gradual oxygen growth)方法改善ZnO薄膜的透过率和绒度特性,并且具有较好的电学性能。通过优化实验,GOG方法生长ZnO:Al薄膜(薄膜结构:11.0sccm/10R+9.5sccm/15R)的"弹坑状"特征尺寸为300~500nm,可见光范围透过率达到90%,方块电阻约为4.0Ω/□,电子迁移率为17.4cm2/V-1.s-1。大面积镀制的ZnO:Al具有良好的绒面结构和电学均匀性,可应用于光伏(PV)产业化推广应用。

    Abstract:

    Natively textured surface Al-doped ZnO(ZnO:Al) thin films with crater-like structure were directly deposited via reactive magnetron sputtering.The optical transmittance and haze performance of ZnO:Al thin films with low sheet resistances are improved through(GOG,gradual oxygen growth) method.The crater-like feature sizes of ZnO:Al thin films(structure:11.0 sccm/10R+9.5 sccm/15R) with gradual oxygen growth are ~300-500 nm.Typical optical and electrical characteristics of ZnO:Al thin films are:transmittance in visible region is ~90%,sheet resistance is ~4.0 Ω and electron mobility is ~17.4 cm2/Vs.Large-area(S=110 mm×240 mm) ZnO:Al thin film exhibits milky surface and good electrical uniformity.Natively textured surface ZnO:Al thin films are promising TCO materials for PV industry.

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引用本文

陈新亮,王斐,耿新华,黄茜,张德坤,魏长春,张晓丹,赵颖.反应磁控溅射直接生长绒面结构ZnO:Al-TCO薄膜及其特性研究[J].光电子激光,2012,(5):910~914

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