氧化钒薄膜太赫兹波段频率特性研究
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TN213

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国家高技术研究发展计划“863”资助项目(2008AA031401);高等学校博士学科点专项科研基金(新教师类)资助项目(20100032120029);天津市应用基础及前沿技术研究计划重点资助项目(08JCZDJC17500)


Study on frequency characteristics of VO_x thin films in THz band
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    摘要:

    利用直流对靶磁控溅射镀膜法,在Si衬底上制备出在太赫兹(THz)波段具有开关性能的氧化钒(VOx)薄膜。用X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)方法对VOx薄膜的组份和形貌进行表征。利用THz时域频谱系统(THz-TDS)对VOx薄膜的光致相变性能进行测试。实验表明,VOx薄膜在波长532 nm连续激光照射下具有明显的光致相变特性,且随着薄膜中V元素总体价态的升高,THz透射率达到峰值时的频率逐渐降低。

    Abstract:

    Vanadium oxide(VOx) thin films were prepared on silicon substrates by the direct current facing targets magnetron sputtering,and these films have optical switching performance in terahertz(THz) band.The X-ray photoelectron spectroscopy and scanning electronic microscopy(SEM) were used to measure the component and investigate the morphology of VOx thin films.In addition,the photo-induced phase transition properties of VOx were tested by the THz time-domain spectroscopy system(TDS).In the experime...

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    引证文献
引用本文

陈涛,胡明,梁继然,后顺保,吕志军,栗力.氧化钒薄膜太赫兹波段频率特性研究[J].光电子激光,2011,(9):1348~1351

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