GaN基蓝光LED的多量子阱结构优化
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TN312.8

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江苏省科技资助项目(BG2007026);扬州市科技计划资助项目(YZ2009092)


Optimization of multiple quantum well structure for GaN-based blue light emitting diode
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    基于量子阱结构中载流子遂穿势垒原理,使用APSYS软件模拟不同条件下具有不同垒高、垒宽及阱宽的发光二极管(LED)的I-V特性、光强和内量子效率(IQE)的变化,发现自发发射光谱存在红移现象。通过与传统LED的多量子阱(MQW)参数比较发现,当阱宽为2 nm、垒宽为4 nm、垒中In含量为0.08和驱动电流为20mA时,电压降低了18.43%,光强增加了11.46%,红移现象减小了5 nm。研究结果可为LED芯片的应用设计提供参考。 更多还原

    Abstract:

    According to the theory of electron tunneling barrier in quantum well structure,the photoelectric properties for GaN-based blue light emitting diodes(LEDs) with different heights,widths of the barrier and quantum well have been simulated by the APSYS software.The calculations of the I-V characteristics,light intensity,internal quantum efficiency at different conditions show that there is a red-shift in the spontaneous emission spectrum.Compared with the conventional quantum well parameters of LE...

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引用本文

雷亮,曾祥华,范玉佩,张勇. GaN基蓝光LED的多量子阱结构优化[J].光电子激光,2011,(9):1326~1331

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