应用高压高功率的微晶硅薄膜高速沉积
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TM914.42

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国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20050080007)


High rate deposition of microcrystalline silicon thin films under high pressure and high power
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    应用高压高功率(hphP)甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)法对微晶硅(μc-Si:H)进行高速沉积,确定了hphP VHF-PECVD法沉积μc-Si:H的最优条件参数,在此参数下对hphP和低压低功率(lplP)两组样品沉积速率、光电导、暗电导及光敏性等性能参数进行测试,得到了1.58 nm的较高沉积速率、光电性能优秀和更适合应用在薄膜太阳能电池生产上的μc-Si:H薄膜材料。 更多还原

    Abstract:

    In this paper,the high rate deposition of microcrystalline silicon thin films is achieved by very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition(VHF-PECVD) working at high pressure and high power(HPHP).The best deposition parameters are determined.Under these deposition parameters,the HPHP films show better optical and electrical properties.The deposition rate,photo-conductivity,dark conductivity and photo-sensitivity are tested.The results show that the way of depositing microcrystall...

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引用本文

赵之雯,刘玉岭.应用高压高功率的微晶硅薄膜高速沉积[J].光电子激光,2011,(4):555~557

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