Al_xZn_(1-x)O合金MSM光电探测器的研究
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TN361

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国家自然科学基金资助项目(50802012); 电子薄膜与集成器件国家重点实验室创新基金资助(CXJJ200901); 中央高校基本科研业务费专项资金资助项目


MSM photodetectors based on Al_xZn_(1-x)O alloys
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    摘要:

    在Si衬底上磁控溅射制备AlxZn1-xO(AZO)合金薄膜,在其上真空蒸发Ni/Au叉指电极获得金属-半导体-金属(MSM)结构光电探测器。采用UV-Vis-Nir分光光度计测量AZO系列薄膜的光吸收特性,观察到AZO合金薄膜的光学吸收带边随Al含量增加明显蓝移。测试AZO探测器的电流-电压特性、时间特性和响应光谱发现,随Al含量的增加,紫外光照下的电流-电压曲线呈现出明显的非线性特征,且光响应时间显著变小;30at.%Al含量样品在5 V偏压下暗电流为14 nA,光暗电流比达到10倍,上升时间和下降时间都小于1 s;Al含量为5 at.%时获得光电导型紫外光电探测器,而Al含量为30 at.%时获得紫外增强型Si探测器,其响应光谱变宽为0.3~1.0μm。

    Abstract:

    AlxZn1-xO(AZO)alloy thin films were deposited on Si substrates by RF magnetron sputtering,and photodetectors were fabricated on these AZO thin films by using Ni/Au as contact metal,forming a metal-semiconductormetal(MSM) structure with interdigital(IDT) configuration.Optical transmission spectra tested by a UV-Vis-Nir spectrometer indicate that the absorption edge has obvious blue shift with Al concent increasing.I-V characteristics,time response and spectra response of the detectors were investigated.With ...

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引用本文

韦敏. Al_xZn_(1-x)O合金MSM光电探测器的研究[J].光电子激光,2011,(2):228~231

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