ITO掩膜干法粗化GaP提高红光LED的提取效率
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TN312.8

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国家“863”计划资助项目(2007AA03Z405); 国家“973”计划资助项目(2009CB930503)


Enhanced extraction efficiency of red-light-emitting diode via dry-etching GaP using ITO as templates
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    摘要:

    采用氧化铟锡(ITO)颗粒掩膜,经感应耦合等离子体(ICP)刻蚀后制作了表面粗化的红光发光二极管(LED),并且研究了ITO腐蚀时间对粗化表面形貌的影响。测试结果表明,当粗化颗粒的大小为200~500 nm、腐蚀深度约200~400 nm时,能使制作的表面粗化红光LED在20 mA注入电流下光提取效率提高30%以上。并且,表面粗化不会影响LED的发光强度角度分布。

    Abstract:

    After inductively coupled plasma etching using Indium Tin oxide(ITO) particles as mask,we manufactured red-light-emitting diode(LED) that surface roughened and investigated the effect of etching duration to ITO on LED surface morphology.The results showed that under the inject current of 20 mA,the light extraction efficiency of surface roughened LED increased by at least 30% when the diameter of the formed GaP particles was around 200~500 nm and the etching depth is 200~400 nm.In addition,surfac...

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引用本文

巩海波. ITO掩膜干法粗化GaP提高红光LED的提取效率[J].光电子激光,2010,(9):

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