Ni纳米粒子掩膜用于提高GaN基LED出光率的研究
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TN312.8

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广东省关键领域粤港合作重点突破资助项目(0812150300001); 留学回国人员科技活动资助项目; 广东省自然科学基金资助项目(8521063101000007); 广东省科技计划资助项目(2008B010200004); 华南师范大学学生课外科研重点课题资助项目(09XXKC03)


Study on enhancing the light output of GaN-based LED by using Ni nanoparticle mask
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    以无水乙醇为溶剂、柠檬酸为分散剂,用超声分散技术配制Ni纳米粒子分散液;将分散液用旋涂的方法在GaN基发光二极管(LED)的ITO电流扩展层上制备单层Ni纳米粒子掩膜,采用ICP(inductively coupledplasma)干法刻蚀技术在ITO层上制作出表面粗化的结构。在20 mA工作电流下,与普通GaN基LED相比,这种ITO表面粗化的GaN基LED芯片发光强度提高了30%,并且对器件的电性能影响很小。结果表明,该表面粗化技术是一种工艺简单、成本低和能有效提高LED发光效率的方法。

    Abstract:

    The dispersion of nickel nanoparticles was prepared by ultrasonic treatment using absolute ethyl alcohol as solvent and citric acid as dispersion medium,respectively.Then the dispersion was spin-coated on the indium tin oxide(ITO) current spreading layer of GaN-based light-emitting diodes(LEDs) to form a single-layer nickel nanoparticle,and the ITO surface was textured using inductively coupled plasma(ICP) etching technology by using nickel nanoparticles as the etching mask.The light output power of ITO sur...

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引用本文

何安和. Ni纳米粒子掩膜用于提高GaN基LED出光率的研究[J].光电子激光,2010,(7):

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