C_(60)作激子阻挡层的有机发光二极管
DOI:
CSTR:
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

TN312.8

基金项目:

广东省自然科学基金资助项目(06025173)


Organic light-emitting-diodes by inserting C_(60) as exciton barrier layer
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    制备了结构为ITO/CuPc(25nm)/NPB(40nm)/Alq3(xnm)/C60(ynm)/LiF(1nm)/Al(100nm)的有机发光二极管(OLEDs),研究了C60插入层对器件性能的影响。结果表明,在无C60的器件中,当Alq3层较厚时,器件的电流密度-电压(J-V)曲线右移,不利于获得高功率效率;当Alq3层较薄时,又会导致激子在LiF/Al阴极的严重淬灭。实验优化得出,在无C60的器件中,Alq3厚为45nm的器件可获得最高的功率效率。在Alq3与LiF之间插入15nmC60层后,对器件的J-V曲线几乎没有影响,但C60层阻挡了激子向阴极扩散,减少了淬灭。当在Alq3厚度为45nm的器件的Alq3和LiF间插入15nmC60层后,可使器件获得更高的功率效率,尤其是插入15nmC并将Alq厚度降至30nm,获得了最大的功率效率。

    Abstract:

    The organic light-emitting diodes (OLEDs) with a structure of ITO/CuPc(25 nm)/NPB(40 nm)/Alq3(xnm)/C60(ynm)/LiF(1 nm)/Al(100 nm) are prepared.The results show that the current density-voltage curve shifts to right with the increase of the thickness of Alq3,which reduces the power efficiency.However,if the thickness of Alq3 is too thin,there would be serious exciton quenching caused by the cathode of LiF/Al.The device with 45 nm Alq3 has the best power efficiency for the devices without C60 inserting layers....

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

李艳武,刘彭义,侯林涛,武春红. C_(60)作激子阻挡层的有机发光二极管[J].光电子激光,2009,(7):

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期:
  • 出版日期:
文章二维码