TN312.8
国家自然科学基金资助项目(60506012);;北京市科委重点资助项目(D0404003040221);;北京市人才强教计划资助项目(05002015200504);;北京工业大学第六届研究生科技基金资助项目
利用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD),对红光发光二极管(LED)的窗口层掺杂进行研究。分别在Ⅴ/Ⅲ比为13、26和52的情况下生长GaP材料,结果发现,Ⅴ/Ⅲ比影响Mg的掺杂浓度和载流子迁移率。在上述Ⅴ/Ⅲ比下生长的GaP,外延生长出红光LED外延片并制备器件,结果发现,生长GaP层时,Ⅴ/Ⅲ比为52的红光LED与Ⅴ/Ⅲ比为13相比,输出光功率提高了23.7%,轴向光强提高了20.4%。
丁亮,李建军,康玉柱,于晓东,邓军,韩军,沈光地.Ⅴ/Ⅲ对P型GaP掺杂及红光LED量子效率的影响[J].光电子激光,2009,(7):