Ⅴ/Ⅲ对P型GaP掺杂及红光LED量子效率的影响
DOI:
CSTR:
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

TN312.8

基金项目:

国家自然科学基金资助项目(60506012);;北京市科委重点资助项目(D0404003040221);;北京市人才强教计划资助项目(05002015200504);;北京工业大学第六届研究生科技基金资助项目


Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    利用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD),对红光发光二极管(LED)的窗口层掺杂进行研究。分别在Ⅴ/Ⅲ比为13、26和52的情况下生长GaP材料,结果发现,Ⅴ/Ⅲ比影响Mg的掺杂浓度和载流子迁移率。在上述Ⅴ/Ⅲ比下生长的GaP,外延生长出红光LED外延片并制备器件,结果发现,生长GaP层时,Ⅴ/Ⅲ比为52的红光LED与Ⅴ/Ⅲ比为13相比,输出光功率提高了23.7%,轴向光强提高了20.4%。

    Abstract:

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

丁亮,李建军,康玉柱,于晓东,邓军,韩军,沈光地.Ⅴ/Ⅲ对P型GaP掺杂及红光LED量子效率的影响[J].光电子激光,2009,(7):

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期:
  • 出版日期:
文章二维码