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发光二极管表面结构对出光特性的影响
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北京市科委资助项目，北京市人才强教计划，北京工业大学研究生科技基金?


Effect of surface structures of light emitting diodes on light emitting efficiency
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    用传输矩阵法模拟计算了AlGaInP发光二极管(LED)不同表面结构的光学特性,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)或磁控溅射掺铟氧化锡(ITO)设备,在带有DBR结构的外延衬底上制备出具有不同表面层结构的LED.通过实验结果对比表明,表面生长λ/4n SiON加λ2n ITO增透膜结构复合增透膜的LED,器件光学性能提高最佳,在20 mA注入电流下,光强和光通量分别达到141.7 mcd和0.4733 lm.比同样结构的无增透膜LED轴向光强和光通量分别提高138%和91%.

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引用本文

张玉敏,邹德恕,韩金茹,沈光地.发光二极管表面结构对出光特性的影响[J].光电子激光,2009,(2):

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