Al-Zr共掺杂ZnO透明导电薄膜制备及光电性能研究
DOI:
CSTR:
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

O484.1

基金项目:

国家自然科学基金资助项目(20774093); 山东理工大学“功能材料”创新研究团队资助项目(CX0602)


Synthesis and optoelectrical properties of Al-Zr co-doped ZnO transparent conducting thin films
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    采用直流磁控溅射法,在室温水冷玻璃衬底上制备出Al-Zr共掺杂的ZnO透明导电薄膜。研究结果表明,Ar气压强对Al-Zr共掺杂ZnO透明导电薄膜的结构和电阻率有显著影响。X射线衍射(XRD)表明,Al-Zr共掺杂ZnO透明导电薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有C轴择优取向。扫描电镜(SEM)观察表明,Ar气压强对Al-Zr共掺杂ZnO透明导电薄膜的微观结构影响较大。薄膜的厚度随Ar气压强的增加而变薄,在Ar气压强为2.5Pa时,制备的Al-Zr共掺杂ZnO薄膜电阻率具有最小值1.01×10-3Ω.cm,在可见光区(500~800nm)平均透过率超过93%。

    Abstract:

    Transparent conducting Al-Zr co-doped ZnO thin films with high transparency and relatively low resistivity are successfully prepared by DC magnetron sputtering at room temperature.The experimental results show that argon pressure has a significant influence to the Al-Zr co-doped ZnO transparent conductive thin film structure and electrical resistivity.XRD studies reveal that all the films are polycrystalline with a hexagonal structure and a preferred orientation along the C-axis.SEM shows that argon pressur...

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

王辉. Al-Zr共掺杂ZnO透明导电薄膜制备及光电性能研究[J].光电子激光,2009,(12):1606~1609

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期:
  • 出版日期:
文章二维码