真空高温脱O引起Si图形衬底形态变化的研究
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TN201

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国家自然科学基金资助项目(60336010,60676027); 国家重点基础研究发展计划“973”资助项目(2007CB613404)


The shape transformation of Si patterned-substrate in thermal decomposition of native oxide during vacuum annealing
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    摘要:

    利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)系统,在不同的温度、环境氛围及脱O过程参与等条件下对全息法制备的二维周期图形Si衬底进行退火,通过原子力显微镜(AFM)进行表征与分析,研究真空高温脱O过程对图形衬底表面形态变化的影响。结果表明,真空环境使衬底表面的Si原子可以自由运动,脱O过程增强了Si原子在表面的迁移,温度会影响Si原子的扩散速率,3个因素的共同作用导致图形深度变浅,侧壁坡度变缓。此外,在周期图形台面的边缘,观察到环形有序分布的纳米Si岛。

    Abstract:

    2D-period patterned Si substrate is annealed in ultra-high vacuum chemical vapor deposition(UHV/CVD)under variational conditions including different temperature,environment,thermal decomposition of native silicon oxide.The morphology properties of annealed patterned-substrate are obtained by atomic force microscopy(AFM).The effect of annealing parameters on shape transformation of Si patterned-substrate is studied.The results indicate that the Si atoms can diffuse freely on substrate surface in vacuum and t...

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引用本文

周志玉.真空高温脱O引起Si图形衬底形态变化的研究[J].光电子激光,2009,(11):1430~1433

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