首页 > 过刊浏览>2008年第卷第9期 >
PDF HTML阅读 XML下载 导出引用 引用提醒
AlGaInP发光二极管内量子效率测量分析
DOI:
CSTR:
[cstr]
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

基金项目:


Measurement and analysis of the internal quantum efficiency of AIGaInP light-emitting diodes
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
    • |
  • 图/表
    • |
  • 访问统计
    • |
  • 参考文献
    • |
  • 相似文献
    • |
  • 引证文献
    • |
  • 资源附件
    • |
  • 文章评论
    摘要:

    采用两种方法对650 nm AlGaInP LED内量子效率进行测量分析.一是考虑光子循环利用的影响,建立取光效率模型,使用光线追迹法模拟计算取光效率,进而反推出内量子效率.另一方法是变温L-I-V测量分析,在降温过程测量外量子效率随温度的变化,测量出一定温度范围内外量子效率出现最大值且稳定,并根据LED内部的复合机制,从而确定内量予效率值.最后分析两种测量方法,并给出了影响测量的因素.

    Abstract:

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

仲琳,刘英斌,陈国鹰,赵润,荣宝辉,安振峰. AlGaInP发光二极管内量子效率测量分析[J].光电子激光,2008,(9):

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期:
  • 出版日期:
文章二维码
邮政编码：300384 电话：022-60214470
网址：http://www.joelcn.net E-mail：baenxu@263.net
技术支持：北京勤云科技发展有限公司
光电子激光 ® 2025 版权所有