国家重点基础研究发展计划"973"资助项目 , 国家自然科学基金重点资助项目 , 教育部留学回国人员科研启动基金资助项目
以SiH4和GeF4为反应气体,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)方法制备了P型微晶硅锗(P-μc-Si1-xGex)薄膜.研究GeF4浓度对P型微晶硅锗材料组分、结构及电学特性的影响.随GeF4浓度的增加,薄膜中的锗含量增加,暗电导和晶化率先增加,后减小;在薄膜厚度为72 nm,GeF4浓度为4%时,得到了电导率达1.68 S/cm,激活能为0.047 eV,晶化率为60%,在长波区域的平均透过率超过0.9的P型微晶硅锗.
尚泽仁,张建军,张丽萍,胡增鑫,孙建,薛俊明,赵颖,耿新华. VHF-PECVD法制备P型微晶硅锗的研究[J].光电子激光,2008,(8):