VHF-PECVD法制备P型微晶硅锗的研究
DOI:
CSTR:
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

基金项目:

国家重点基础研究发展计划"973"资助项目 , 国家自然科学基金重点资助项目 , 教育部留学回国人员科研启动基金资助项目


Study of P-μc-Si1-xGex:H thin film prepared by VHF-PECVD
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    以SiH4和GeF4为反应气体,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)方法制备了P型微晶硅锗(P-μc-Si1-xGex)薄膜.研究GeF4浓度对P型微晶硅锗材料组分、结构及电学特性的影响.随GeF4浓度的增加,薄膜中的锗含量增加,暗电导和晶化率先增加,后减小;在薄膜厚度为72 nm,GeF4浓度为4%时,得到了电导率达1.68 S/cm,激活能为0.047 eV,晶化率为60%,在长波区域的平均透过率超过0.9的P型微晶硅锗.

    Abstract:

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

尚泽仁,张建军,张丽萍,胡增鑫,孙建,薛俊明,赵颖,耿新华. VHF-PECVD法制备P型微晶硅锗的研究[J].光电子激光,2008,(8):

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期:
  • 出版日期:
文章二维码