MOCVD生长双有源区AlGaInP发光二极管
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TN312.8
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北京市科委高效高亮度单芯片半导体照明器件的研发与产业化资助项目
MOCVD growth two active regions AlGaInP LED
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引用本文
韩军,邢艳辉,李建军,邓军,于晓东,林委之,刘莹,沈光地. MOCVD生长双有源区AlGaInP发光二极管[J].光电子激光,2008,(5):591~594
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- 最后修改日期:2007-07-13
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