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利用常规工艺提高光子晶体GaN LED的出光效率
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[cstr]
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中图分类号:

TN312.8

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国家自然科学基金 , 国家高技术研究发展计划(863计划)


Enhancement of light extraction of photonic crystal GaN light emitting diodes(LEDs)using conventional technics
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    计算了GaN二维光子晶体的能带结构,并利用常规工艺在国内首次制备出了GaN基二维平板结构的光子晶体蓝光LED.经过器件测试表明,与没有制作光子晶体的器件相比,光子晶体使器件的有效出光效率达到了原来的1.5倍以上.另外,还对感应耦合等离子体刻蚀(ICP)的制备光子晶体LED的刻蚀工艺进行了分析.

    Abstract:

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引用本文

胡海洋,许兴胜,鲁琳,宋倩,杜伟,王春霞,陈弘达.利用常规工艺提高光子晶体GaN LED的出光效率[J].光电子激光,2008,(5):569~572

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  • 最后修改日期:2007-04-26
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