宽反射角DBR红光发光二极管
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TN383

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北京市科委高效高亮度单芯片半导体照明器件的研发与产业化资助项目


Wide reflected angle DBR red light LED
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    对用于提高AlGaInP红光发光二极管出光效率的传统DBR进行了分析,用MOCVD生长了包含对垂直入射光反射的DBR和对斜入射光反射的DBR复合在一起的红光LED,在20 mA注入电流下,LED的峰值波长为630 nm,轴向光强达到137 mcd,输出光功率为2.32 mW.与常规的LED相比,光强和输出光功率有很大的提高.

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引用本文

韩军,李建军,邓军,邢艳辉,于晓东,林委之,刘莹,沈光地.宽反射角DBR红光发光二极管[J].光电子激光,2008,(4):456~458

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  • 最后修改日期:2007-05-18
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