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高功率VCSEL中应变补偿量子阱的理论设计
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TN248.4

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国家自然科学基金


Theoretical design method of strain compensated quantum well in high power VCSELs
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    利用模型固体理论、k.p理论和Pikus-Bir理论,研究了InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱,得出了较为简单通用的设计方法;进而研究了阱宽、InGaAs中In组分和GaAsP中P组分等参数对跃迁波长的影响.理论计算发现,与InGaAs/GaAs普通量子阱相比,InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱能提供更深的载流子阱和更大的增益.按照提出的理论设计方法,研制了含InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱的垂直腔面发射激光器(VCSEL),理论计算和实验结果相吻合.

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引用本文

王青,曹玉莲,何国荣,韦欣,渠红伟,宋国峰,陈良惠.高功率VCSEL中应变补偿量子阱的理论设计[J].光电子激光,2008,(3):304~307

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  • 收稿日期:2007-03-20
  • 最后修改日期:2007-05-25
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