首页 > 过刊浏览>2008年第卷第3期 >285-288
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InP基PIN HBT光电集成器件的设计与研制
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[cstr]
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TN256

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国家重点基础研究发展计划(973计划) , 国家自然科学基金 , 教育部跨世纪优秀人才培养计划


Design and fabrication of InP based PIN HBT for OEIC
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    对用于光电集成电路(OEIC)的InP基异质结双极性晶体管(HBT)及PIN探测器进行了设计与研制,讨论了堆叠层结构和共享层结构2种常见的集成方式,通过实验比较,确定了共享层结构器件性能更好,并对此结构进行了改进.所研制的HBT截止频率达到30 GHz,直流增益达到100;PIN的3 dB带宽达到了15 GHz.详细介绍了器件结构及工艺流程.

    Abstract:

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引用本文

崔海林,任晓敏,李轶群,苗昂,黄辉,黄永清. InP基PIN HBT光电集成器件的设计与研制[J].光电子激光,2008,(3):285~288

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  • 收稿日期:2007-03-02
  • 最后修改日期:2007-06-10
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