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Ar^＋注入多孔硅与Ar^＋注入硅多孔结构的光致发光研究
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[cstr]
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TN383

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教育部跨世纪优秀人才培养计划 ， 新疆维吾尔自治区高技术研究与发展计划 ?


Study of photoluminescences of the Ar+ implanted porous silicon and the porous structure of Ar+-implanted silicon
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    研究了中等能量(30 key)Ar+注入多孔硅和中等能量(30 key)Ar+先注入单晶硅后再进行电化学腐蚀成的多孔结构的光致发光特性.研究结果表明:中等能量(30 key)Ar+注入多孔硅后,多孔硅原有的发光峰消失,主要是Ar+对多孔硅表面氧的剥离作用.使得与氧相关发光的结构消失,多孔硅不再发光;中等能量(30 kev)Ar+先注入单晶硅后冉电化学腐蚀成的多孔结构中,通常多孔硅原有的580 nIn附近发光峰强度随注入Ar+剂量的增加而增强,并有红移;同时在谱峰处于470 nm附近的微弱发光峰不因注入Ar+而明显变化.

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引用本文

吕小毅,杨勇兵,贾振红,薛涛. Ar^＋注入多孔硅与Ar^＋注入硅多孔结构的光致发光研究[J].光电子激光,2008,(12):

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