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快速热处理对PECVD氮化硅薄膜性能的影响
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国家自然科学基金，河北省教育厅科研项目


Investigation of the properties of in-line PECVD silicon nitride after RTP
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    利用PECVD在硅片上沉积了氮化硅(SiNx)薄膜,将沉积膜后的样品放在N2气氛中进行快速热处理(RTP),研究了不同快速热处理对PECVD氮化硅薄膜件能的影响.采用原子力显微镜(AFM)检测薄膜的表面形貌,利用椭圆偏振仪测量样品膜厚和折射率,利用准稳态光电导衰减法(QSSPCD)测鼋样品的少子寿命.实验结果表明随着RTP温度的升高,薄膜厚度迅速减小,折射率迅速增大;低于500℃热处理时,少子寿命基本不变;高于500℃热处理时,随着温度的升高,少子寿命急剧下降.氮化硅薄膜经热处理后反射率基本不变.

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引用本文

陈玉武,郝秋艳,刘彩池,王立建,孙海知,赵建国.快速热处理对PECVD氮化硅薄膜性能的影响[J].光电子激光,2008,(10):

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