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无制冷高速直调1.5 μm AlGaInAs-InP DFB激光器
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TN365

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国家自然科学基金


High-Speed Direct Modulated 1.5 μm Uncooled AlGaInAs-InP MQW-DFB Lasers
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    利用AlGaInAs-InP应变多量子阱(MQW)材料导带偏移量大的特点,制作了基于AlGaInAs-InP材料的无制冷脊波导分布反馈式(DFB)激光器.为提高器件调制速度,制作了2 μm宽的脊波导结构,并在脊波导两侧填充1.5 μm厚的SiO2层,从而有效降低器件寄生电容.室温条件下,DFB激光器典型阈值为15 mA,特征温度达88 K,边模抑制比大于50 dB,3 dB小信号调制响应带宽超过15 GHz.

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引用本文

蔡鹏飞,孙长征,熊兵,王健,罗毅.无制冷高速直调1.5 μm AlGaInAs-InP DFB激光器[J].光电子激光,2007,(6):666~668

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  • 收稿日期:2006-07-26
  • 最后修改日期:2006-10-26
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