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温度对高速微晶硅薄膜沉积速率及其特性的影响
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[cstr]
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中图分类号:

O484.1

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科技部国际科技合作计划 , 国家自然科学基金 , 天津市国际科技合作资助项目 , 天津市科委攻关资助项目


Influence of Temperature on Deposition Rate and Properties of Microcrystalline Silicon Flims
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    摘要:

    采用超高频(VHF)结合高压(HP)的技术路线,在较高SiH4浓度(SC)下实现了微晶硅(μc-Si:H)薄膜的高速沉积,考察了衬底温度在化学气相沉积(CVD)过程中对薄膜的生长速率以及光电特性的影响.结果表明:薄膜微结构特性随衬底温度变化是导致薄膜电学特性随衬底温度变化的根本原因;HP与低压条件下沉积的μc-Si:H薄膜的特性随温度变化的规律不同,在试验温度范围内,HP高速沉积的μc-Si:H薄膜生长速率不同于低压时随温度升高而下降的趋势,而是先增大后趋于平稳,晶化率随温度升高也不是单调增加,而是先增加后减小.

    Abstract:

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引用本文

郭群超,孙建,魏长春,耿新华.温度对高速微晶硅薄膜沉积速率及其特性的影响[J].光电子激光,2007,(6):659~662

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  • 收稿日期:2006-07-05
  • 最后修改日期:2006-09-09
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