PTCDA表面射频磁控溅射ITO薄膜的特性研究
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TN304 O484.4

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国家自然科学基金 , 甘肃省自然科学基金


Study of ITO Thin Film Deposited on PTCDA by RF Magnetron Sputter
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    将氧化铟锡(ITO)溅射淀积在PTCDA/玻璃衬底表面,利用原子力显微镜(AFM)、四探针和紫外可见分光光度计分别测量薄膜的表面形貌、电阻率和透光率.结果表明:衬底温度对ITO在PTCDA上的淀积有着与在其他衬底上淀积所不同的影响,提高衬底温度淀积ITO并没有提高薄膜的结晶度;溅射功率的提高有利于ITO电阻率的下降,但是功率过高会破坏ITO薄膜的特性:ITO膜厚度的增加导致其电阻率减小.

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引用本文

孙硕,胥超,冯煜东,肖剑,张福甲. PTCDA表面射频磁控溅射ITO薄膜的特性研究[J].光电子激光,2007,(5):529~532

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  • 收稿日期:2006-06-26
  • 最后修改日期:2006-09-12
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