首页 > 过刊浏览>2007年第卷第1期 >74-77
PDF HTML阅读 XML下载 导出引用 引用提醒
InAs/GaAs自组装量子点结构的能带不连续量
DOI:
CSTR:
[cstr]
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

O471.5

基金项目:


Determining Band Offsets of InAs/GaAs with Formation of Self-assembled InAs Quantum Dots
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
    • |
  • 图/表
    • |
  • 访问统计
    • |
  • 参考文献
    • |
  • 相似文献
    • |
  • 引证文献
    • |
  • 资源附件
    • |
  • 文章评论
    摘要:

    为确定异质结界面带阶,结合光致发光(PL)谱和深能级瞬态谱(DLTS)测量结果,利用有效质量近似理论,计算得到了InAs/GaAs自组装量子点结构的能带不连续量,其中导带不连续量ΔEc＝0.97 eV,价带不连续量ΔEv＝0.14 eV.

    Abstract:

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

王海龙,秦文华,赵传华. InAs/GaAs自组装量子点结构的能带不连续量[J].光电子激光,2007,(1):74~77

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:2006-01-24
  • 最后修改日期:2006-04-15
  • 录用日期:
  • 在线发布日期:
  • 出版日期:
文章二维码
邮政编码：300384 电话：022-60214470
网址：http://www.joelcn.net E-mail：baenxu@263.net
技术支持：北京勤云科技发展有限公司
光电子激光 ® 2025 版权所有