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高性能硅光电探测器设计及温度特性研究
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[cstr]
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TN365

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Design of High Performance Si Photoelectric Detectors and Analyse of Temperature Characteristic
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    采用适当的器件工艺和特制2 mm厚无附加镀层光学玻璃滤光片,使所研制的绿光Si光电探测器的最大量子效率η达到91%,光响应信噪比(SNR)大于1×104.对该Si光电探测器在零偏下的光电流温度特性进行了测量,并对结果做了较深入的理论分析.

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引用本文

闫阳,肖夏,姚素英,郑云光,张寅辰.高性能硅光电探测器设计及温度特性研究[J].光电子激光,2007,(1):46~48

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  • 收稿日期:2006-02-21
  • 最后修改日期:2006-04-14
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