生长速率对反应蒸发制备ITO薄膜光电性能的影响
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中图分类号:
O484
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国家重点基础研究发展计划(973计划) , 天津市科技发展基金 , 天津市自然科学基金
Preparation and Properties of Indium Tin Oxide Films Deposited by Reactive Evaporation at Different Deposited Rate
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引用本文
李林娜,孙建,薛俊明,李养贤,赵颖,耿新华.生长速率对反应蒸发制备ITO薄膜光电性能的影响[J].光电子激光,2007,(1):24~26,29
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- 收稿日期:2006-03-31
- 最后修改日期:2006-06-14
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