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热氧化法制备ZnO薄膜及其紫外探测特性研究
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[cstr]
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O484

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Ultraviolet Photodetection of ZnO Films by Oxidation of Zn Films
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    采用电子束蒸发方法在玻璃衬底上沉积了Zn薄膜,然后在空气中进行了400 ℃至550 ℃加热退火处理,并基于金属-半导体-金属(MSM)平面式结构,制备了ZnO光电导型紫外探测器.实验发现:退火后的薄膜样品表面出现了ZnO纳米线,纵横比在300～1000间;探测器的响应峰值波长约为360 nm,紫外区光响应度是可见区的5倍以上;360 nm紫外光照射的瞬态响应符合e指数变化规律,e指数曲线拟合所得到的驰豫时间常数反映了这个过程中的时间积累.

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引用本文

郑学刚.热氧化法制备ZnO薄膜及其紫外探测特性研究[J].光电子激光,2007,(10):1219~1223

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  • 最后修改日期:2007-03-26
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