TN386.1
国家自然科学基金资助项目(60576025)
提出了一种在标准CMOS工艺下实现时间延迟积分(TDI)功能的电路结构,电路采用一面阵CMOS像素阵列,通过像素列曝光累积实现了TDI功能.详细分析了器件噪声和积分器噪声对电路的影响,提出了器件级噪声优化公式.电路采用SMIC 0.35 μm CMOS工艺实现.仿真结果表明,该电路能够实现TDI功能,运算放大器的等效输入噪声为36.1 μV,具有低噪声特性.
高静,姚素英,史再峰,徐江涛. CMOS图像传感器中时间延迟积分的实现与优化[J].光电子激光,2007,(10):1162~1165