一种新的激光诱导液相腐蚀法制作GaAs腐蚀孔
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TN249

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国家自然科学基金;教育部科学技术研究重点项目;四川省科技厅资助项目;国防重点实验室基金


A New Method of Laser-induced Wet Etching Used for Etch Hole''''s Facture on GaAs Wafer
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    提出了一种掩膜投影的激光诱导液相腐蚀方法,采用波长0.53μm的倍频Nd:YAG连续激光器、镀Cr掩膜板、H2SO4和H2O2混合溶液,在GaAs基片上制作腐蚀孔。通过对腐蚀原理的分析,对影响加工精度的溶液配比和激光功率密度进行了实验研究,得出了H2SO4:H2O2:H2O=4:1:20、激光功率密度11.7W/cm^2的最佳实验组合,并在此条件下得到了直径为30μm的高质量腐蚀孔。通过对腐蚀孔的横向与底面形状的分析,从改进实验装置和进行激光束空间整形2方面提出了改进的方法.对提高掩膜投影法的加工精度具有重要意义。

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引用本文

陈镇龙,叶玉堂,刘霖,田骁,吴云峰,焦世龙,范超,王昱琳.一种新的激光诱导液相腐蚀法制作GaAs腐蚀孔[J].光电子激光,2006,(9):1133~1136

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  • 收稿日期:2005-11-19
  • 最后修改日期:2006-03-20
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