在射频（RF）等离子体辅助分子束外延（MBE）系统中，采用低温缓冲层等一系列生长工艺制备出二维生长模式的GaN材料；通过研究Ⅲ／Ⅴ比的调节对GaN生长的影响，确定了微富Ga的MBE生长GaN的优化条件；对GaN富Ga和富N状态的表面形貌和结构进行了比较，富Ga条件下的GaN具有更好的表面和材料特性；通过Hall和光致发光（PL）谱测试研究了GaN的电学和光学性质，GaN的黄带发光（YL）与GaN中生成能最低的ⅤN和VGa缺陷态有关。