不同掺杂位置对双层异质结OLEDs性能的影响
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TN383.1

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国家自然科学基金


Influence of Different Doping-Sites on the Performance of Double-Layer Heterojuction OLEDs
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    通过在双层异质结有机电致发光器件(OLEDs)ITO/N,N'-Diphenyl—N,N’-bis(1-naphthyl)(1,1’-biphenyl)。4,4'-diamine(NPB)/tri-(8-hydroxyquinoline)-aluminum(Alq3)/Mg:Ag发光层Alq3中的不同位置掺杂红色荧光材料4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7-tetramcthyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran(DCJTB),研究了该类器件中载流子的输运过程、复合位置及能量传递机理。实验结果表明,掺杂剂对于载流子有较强的俘获能力,并影响器件的载流子输运过程以及电流机制;掺杂位置的不同导致器件发光性能发生很大变化,而当掺杂层位于有机/阴极金属界面时还起到阴极电子注入缓冲层的作用。

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引用本文

黎威志,贺鑫,钟志有,季兴桥,蒋亚东.不同掺杂位置对双层异质结OLEDs性能的影响[J].光电子激光,2006,(12):1432~1435

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  • 收稿日期:2006-01-20
  • 最后修改日期:2006-05-17
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