利用射频等离子体增强化学气相沉积（RFPECVD）技术，通过改变SiH4浓度制备了一系列不同晶化率（Xc）的本征Si薄膜材料。通过测量其Raman谱和光、暗电导率（σph、σd）研究了工艺变化对材料结构的影响及材料光电特性同微观结构的关系，然后对样品进行老化实验，测量其光照前后的吸收系数α及量子效率、迁移率和寿命的乘积nμτ。分析其光照前后光电性能的变化规律结果表明，相变域附近的微晶硅（μc-Si：H）薄膜材料适合制备μc-Si2H太阳电池；结合退火实验的结果发现，μc-Si：H材料中的非晶成分是导致微晶材料光电特性衰退的主要原因。