新型PTCDA/p-Si光电探测器
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TN362

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国家自然科学基金资助项目(60276026);甘肃省自然科学基金资助项目(ZS031-A25-012-G);此项成果已通过甘肃省科技厅主持的技术鉴定,并已获得专利(专利号:ZL02252447.9)


New Type PTCDA/p-Si Potodetector
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    摘要:

    研制成功的PTCDA/p—Si新型光电探测器与型号为PHD714的PIN光电二极管的电参数进行了测试对比。结果表明,两者的光谱响应范围均为450~1100nm,峰值波长为930nm,对光的响应速度均小于10^-9s;在1000Lx及1.5V电压作用下,前者的光电流普遍大于100μA,后者光电流小于100μA,前者经高温(120℃)48h及低温(-80℃)12h 2次循环实验后测得其电参数稳定。表明,这种新型有机/无机光电探测器具有更优良的光敏性及可靠性。

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张福甲 李东仓 桂文明 戴志平.新型PTCDA/p-Si光电探测器[J].光电子激光,2005,(8):897~900

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  • 收稿日期:2004-12-26
  • 最后修改日期:2005-04-13
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