TN715 O43
国家“863”计划资助项目(2001AA312250)
采用绝缘体上Si(SOI)材料制作了马赫-曾德干涉型(MZI)SOI热光可变光学衰减器(VOA),利用隔热槽有效降低器件的功率消耗,提高响应速度。在1510~1610nm波长范围内动态调节范围可达到0~29dB。与未加隔热槽的相同结构光学衰减器相比,器件插入损耗和调制深度不受影响。最大衰减(29dB)时功率消耗由360mW降低为130mW,器件响应速度提高1倍,响应时间由大于100μs降为小于50μs。
贺月娇 方青 辛红丽 陈鹏 李芳 刘育梁.低功率消耗、响应快速的SOI基可变光学衰减器[J].光电子激光,2005,(6):642~645