TN304.21 TM914.42
国家“973”重点基础研究资助项目( G2000028202,G2000028203 ),教育部重点资助项目( 02167 ),国家合作资助项目(2002DFG00051,023100711),天津市自然科学基金资助项目(043604911)
利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长技术,采用二乙基锌(DEZ)作Zn源和H2O作O源,使用B2H6 为掺杂气体,制备出了光电特性稳定的低电阻率、高透过率的ZnO薄膜。制备条件为:衬底温度160 ℃,DEZ的流量为342μmol/min,H2O流量为500μmol/min,反应气压为5×133.32 Pa,B2H6 流量为5 sccm,掺杂手段为气体掺杂。在薄膜面积为10 cm×10 cm、厚度为550 nm时,方块电阻为40Ω/□。透过率>85%。
徐步衡,薛俊明,赵颖,张晓丹,魏长春,孙建,刘芳芳,何青,侯国付,任慧志,张德坤,耿新华. MOCVD制备用于薄膜太阳电池的ZnO薄膜研究[J].光电子激光,2005,(5):515~518