基于蒙特卡罗方法模拟分析了限制GaN基发光二极管(LEDs)芯片光提取效率的主要因素。结果表明，GaN与蓝宝石之间的较大折射率差别严重限制了芯片光提取效率的提高，通过蓝宝石背面出光比通过p型GaN层的正面出光的芯片光提取效率至少高20％；同时，低GaN光吸收系数、高电极反射率以及环氧树脂封装可以有效的增加芯片光提取效率，并且LEDs芯片尺寸在400μm以下时光提取效率较高。