采用VHF-PECVD技术制备了不同结构的Si薄膜，用喇曼(Raman)散射光谱和光热偏转谱(PDS)分别对材料的结构进行了研究。结果表明：Si薄膜的结构随温度的升高、功率的增大及H稀释的加大逐渐由非晶转变为微晶，同喇曼谱相比，PDS也可粗略地估计材料结构变化；即使是同一种材料，恒定光电导谱(CPM)和PDS的测试结果是不同的，PDS能更准确地反映材料的实际信息。综合PDS和喇曼谱的测试结果认为，制备出了高质量的微晶Si(μc-Si)薄膜。