垂直沉积法在GaAs衬底上制备有序SiO2胶体晶体
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O484.1

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基金项目:国家“973”预演资助项目(5130702)


Ordered SiO2 Colloidal Crystals Grown on GaAs Substrates
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    摘要:

    报道了一种利用直径为286nm的单分散SiO2胶体颗粒制备胶体晶体的方法。乙醇悬浮中的SiO2颗粒通过毛细作用力在垂直插入其中的GaAs衬底表面自组装成胶体晶体。扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见分光光度计对胶体晶体的形貌和光学特性进行了表征。结果显示,所得到的胶体晶体膜具有较好的三维有序结构。分析了退火对样品光子带隙的影响。

    Abstract:

    A method for preparation of particle crystal films constructed from monodisperse SiO_2 colloidal particles in diameter of 286 nm is reported.The films were prepared from an ethanol suspension by vertical deposition that relies on caplillary forces to assemble colloidal crystal particles on a vertical GaAs substrate.The 3-D ordered films were characterized by reflection spectra and scanning electric microscope(SEM).The effect of sintering on the photonic band gap of colloidal particle crystals was investigated.

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引用本文

谭春华 范广涵 陈胜利 周天明.垂直沉积法在GaAs衬底上制备有序SiO2胶体晶体[J].光电子激光,2005,(10):1223~1226

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  • 收稿日期:2004-12-30
  • 最后修改日期:2005-06-21
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