国家重点基础研究发展规划(G2000036602)、国家高技术研究发展计划(2002AA312260)和国家自然科学基金资助项目(69889701)资助项目
通过优化多孔硅氧化工艺制备了高质量的均匀折射率厚SiO2薄膜,该方法具有高效、低成本的显著优点.通过高倍光学显微观察与棱镜耦合仪分析得到多孔硅氧化形成的SiO2膜厚度达到13μm且厚度均匀;折射率为1.444 8;折射率不均匀度小于0.0‰.
李健 安俊明 郜定山 夏君磊 李建光 王红杰 胡雄伟.平面光波回路用均匀折射率厚SiO2膜制备技术研究[J].光电子激光,2004,(Z1):186~187