Si/Ti/Au/Si键合技术研究及其应用
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TN304

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北京市教委基金资助项目(KM200310005009)


Si/Ti/Au/Si Bonding Technology and Its Application
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    运用Si/Ti/Au/Au/Ti/Si在N2保护下及420℃左右,成功地实现了Au/Si共熔键合,成品率达到90%以上。该键合方法能进行选择区域键合,完全避免了由于Si/Si熔融键合过程中高温退火给微电子机械系统(MEMS)器件带来的畸变甚至失效,为新型室温红外探测器的研制奠定了良好的工艺基础,是此类结构MEMS器件的理想键合封装方法。

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引用本文

杨道虹 徐晨 李兰 吴埈苗 沈光地. Si/Ti/Au/Si键合技术研究及其应用[J].光电子激光,2004,(7):839~841

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