TN304
北京市教委基金资助项目(KM200310005009)
运用Si/Ti/Au/Au/Ti/Si在N2保护下及420℃左右,成功地实现了Au/Si共熔键合,成品率达到90%以上。该键合方法能进行选择区域键合,完全避免了由于Si/Si熔融键合过程中高温退火给微电子机械系统(MEMS)器件带来的畸变甚至失效,为新型室温红外探测器的研制奠定了良好的工艺基础,是此类结构MEMS器件的理想键合封装方法。
杨道虹 徐晨 李兰 吴埈苗 沈光地. Si/Ti/Au/Si键合技术研究及其应用[J].光电子激光,2004,(7):839~841