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X射线存储材料Si4 掺杂BaFBr:Eu2 中电子陷阱的研究
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[cstr]
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O482

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Electron Traps in Si4 -doped BaFBr∶Eu2 X-ray Storage Phosphor
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    在BaFBr：Eu^2 中掺人Si^4 合成了一种新的X射线影像板材料，其主要光激励发光(PSL)性能，如射线敏感度和长波可激发性都优于低价阳离子掺杂的BaFBr：Eu^2 。用喇曼和顺磁共振(EPR)等手段表征了掺Si^4 后BaFBr：Eu^2 中电子陷阱的结构，并根据此结构解释了其激发波长的红移量比其它低价阳离子掺杂都高的原因。

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引用本文

郑震 熊光楠 余华 张丽平 马宇平 程士明 严晓敏. X射线存储材料Si4 掺杂BaFBr:Eu2 中电子陷阱的研究[J].光电子激光,2004,(1):116~119

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