用旋涂法实现了多孔硅(PS)与有机发光材料聚乙烯咔唑(PVK)和八羟基喹啉(Alq3)的复合，研究了PS／(PVK，Alq3)复合体系的光学性能和电学性能。PL谱的测试发现，PS／PVK复合体系的PL同时具有PS和PVK的峰；在485nm的位置出现了1个新峰，讨论了这个峰的来源。研究了n型单晶Si制备的PS与PVK复合(n-PS／p-PVK)和P型单晶Si制备的Alq3复合(p-PS／n-Alq3)后的}y特性。测试表明，这两个复合体系的I-V曲线都显示了良好的整流特性。结果表明，PS／(PVK，Alq3)复合体系适合用来制备PS基的发光二极管。最后借助无机半导体的能带理论对此进行了分析。