Si表面电子发射特性的转移矩阵方法分析
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TN201 O411

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Characteristic Investigation of Field Emission from Surface of Si Using Transfer Matrix Method
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    将半导体表面的能带弯曲视为一势阱,从而建立了表面势阱作用下Si场致发射的基本方程。应用转移矩阵法,求出了垂直于界面的量子能级,并计算了场发射电流。得到的结果比WKB近似方法更加接近于FN理论的结果。

    Abstract:

    The electron emission on Si surface was considered as a tunneling process through a potential well.By using the transfer matrix method,we calculated the quantum energy levels and emission current.Comparing the conclusion from WKB method,our result is more close to that from FN theory.

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桑明煌 张祖兴 么晓征 樊明新 詹黎. Si表面电子发射特性的转移矩阵方法分析[J].光电子激光,2003,(6):647~649

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  • 最后修改日期:2002-12-18
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