首页 > 过刊浏览>2003年第卷第6期 >562-565
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深度调制下VCSELs典型结构参数的研究
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[cstr]
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中图分类号:

TN248.4

基金项目:

国家自然科学基金资助项目(10174057)，宽带光纤传输与通信系统技术国家重点实验室开放课题资助项目(NO.02KF)


Study of Typical Structure Parameters of VCSELs Subject to Deep Modulation
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    通过构建垂直腔表面发射半导体激光器(VCSELs)的动态仿真模型，研究了有源层孔径和厚度对VCSELs大信号深度调制特性的影响。仿真结果表明，在大信号调制下，较小的有源层孔径和厚度对系统的非线性效应显现出更好的抑制能力，而且具有更高的调制带宽；合理地控制有源层孔径和厚度可以抑制系统的非线性行为，提高调制带宽。

    Abstract:

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引用本文

邓果 潘炜 罗斌.深度调制下VCSELs典型结构参数的研究[J].光电子激光,2003,(6):562~565

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  • 最后修改日期:2002-12-04
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