TN252
国家重点基础研究发展规划资助项目(G2000036602)
采用火焰法水解法在Si衬底上制备了厚度约20μm 的波导下包层材料SiO2膜。利用原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)及可变入射角椭圆偏振仪(VASE)对其进行了测试分析,得到了空气中1400℃退火后SiO2的均方根粗糙度为0.184nm,原子比为1:2.183,在1.55μm 处的折射率为1.4564。
张乐天 谢文法 等.波导材料SiO2的火焰水解生长及表征[J].光电子激光,2003,(3):271~273