用于纳米光电器件的Ti纳米氧化线的AFM加工
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TB383 TN20

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教育部天津大学 南开大学科技合作项目


AFM Oxidation of Ti Oxide Lines for Nano Photoelectric Devices
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    为利于与微电子加工工艺相结合,基于Ti氧化线的纳米电子和光电器件需要加工μm级长的Ti氧化线。偏置电压和扫描速度是AFM阳极氧化加工Ti纳米氧化线的决定因素。在温度(20℃)、相对湿度(30%)和氧气浓度(20%)基本保持不变的情况下,在不同的偏置电压和扫描速度下加工了5μm长的Ti氧化线,研究了不同偏置电压和扫描速度对Ti氧化线加工特性的作用,在偏置电压8V和扫描速度0.1μm/s条件下得到了比较理想的长Ti氧化线。

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引用本文

匡登峰 刘庆纲 郭维廉 张世林 胡小唐.用于纳米光电器件的Ti纳米氧化线的AFM加工[J].光电子激光,2003,(12):1296~1298

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  • 最后修改日期:2003-04-14
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