三沟道BCCD在X光区光电特性的数值模拟
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TN386.5

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The Numerical Simulation of Photoelectric Characteristic of Three-channel Bulk Charge-coupled Device in the Region of X-ray
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    摘要:

    本文对三沟道体电荷耦合器件(BCCD)在X光区的光电特性进行了数值模拟,结果表明:磁对X光的吸收曲线了硅制的三沟道BCCD不能在XI我区实现多光谱成像,通过理论分析,指出了能保证BCCD在X光区工作的衬底材料所应满足的吸收曲线,利用这种新材料制成的三沟道BCCD,其光敏特性可以分别在1.8keV,1.2keV,0.6keV处出现最大值。

    Abstract:

    In this paper the photoelectric characteristics of the three channel bulk charge coupled device (BCCD) are simulated in the region of X ray.The results show that the silicon three channel BCCD can not realize multi spectral imaging in the region of X ray.Based on the result of theoretical research the absorption coefficient curve of a substrate material has be found,which ensure the three channel BCCD work in the region of X ray.The three channel BCCD made by the new material will have three maxim positions of the spectral photosensitivity at 1.8 keV,1.2 keV and 0.6 keV,respectively.

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引用本文

王玉新 宋敏.三沟道BCCD在X光区光电特性的数值模拟[J].光电子激光,2001,(4):378~381

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  • 最后修改日期:2000-08-28
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